国家/地区 韩国（1361）
IPC部 H（1361） C（576） B（336）
G（200） F（19） A（11）
IPC大类 H01（1361） C01（429） B82（206）
C23（151） B32（87） H05（87）
C09（81） G01（75） C08（60）
B01（55） B05（41） H10（39）
G02（37） C30（35） G06（35）
IPC小类 H01L（1361）
IPC H01L029/16（287） C01B031/04（230） H01L021/02（229）
C01B031/02（188） H01L029/786（148） H01L029/78（126）
B82Y040/00（119） H01L051/00（117） H01L029/66（113）
B82Y030/00（101） H01L021/336（101） H01L029/06（97）
H01L031/0224（93） C23C016/26（88） H01L031/18（85）
发明人 SHIN H（86） SHIN H J（83） LEE J（75）
KIM S（67） LEE C（56） LEE J H（54）
CHUNG H J（49） PARK S（49） BYUN K E（43）
KIM H（43） BYUN K（42） CHOI J（42）
LEE C S（41） PARK S J（40） LEE Y T（39）
公开年 2021（172） 2013（154） 2014（154） 2016（120） 2022（120） 2012（117） 2017（101） 2015（96） 2023（85） 2011（71） 2018（62） 2020（49） 2010（23） 2019（21） 2009（11） 2008（3） 2007（2）
申请年 2013（142）  2020（142）  2012（138）  2021（130）  2011（128）  2015（125）  2014（102）  2016（92）  2010（76）  2022（71）  2019（69）  2017（54）  2018（40）  2009（34）  2008（10）  2007（3）  2023（3）  2006（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（284） UNIV SUNGKYU.（90） LEE Y T（39） KOREA INST S.（33）
UNIV KYUNGHE.（33） UNIV SEOUL N.（33） UNIV HANYANG.（30） KOREA ADVANC.（28）
UNIV YONSEI .（28） ELECTRONICS .（26） UNIV SUNGKYU.（25） GWANGJU INST.（23）
LG DISPLAY C.（21） SAMSUNG LED .（21） UNIV KOREA R.（21） POSTECH ACAD.（20）
SAMSUNG DISP.（20） UNIST ULSAN .（20） UNIV SUNGKYU.（19） UNIV CHONBUK.（18）

Complex of heterogeneous two-dimensional materials used in electronic device, comprises substrate, first two-dimensional material layer having two-dimensional crystal structure on substrate, and second two-dimension material layer.

SEOL M, SHIN H, BYUN K, HWANG H, LEE C, KIM H, SUK S H, BYUN K E, HWANGHYUNTAE, LEE C S, KIM H J, JIN J, LI C

Packaging unit for directly cooling semiconductor device, has thin film structure that is provided with pattern portion which is formed in partitioning portion of fluid movement area to include same height as edge portion and closely adhere to flow channel of substrate.

PARK J, KANG M S, KIM H C, LEE H, JANG S J, JEONG H, CHOI I K, KIM S I, LEE S, AHN H, LIM J

Semiconductor device comprises substrate, first heat dissipation layer provided on substrate and extending in first direction, and metal layer provided on first heat dissipation layer and extending in first direction, and first heat dissipation layer has structure made of carbon atoms.

JEONG M H, RHO H, LEE S H, RHO H K, CHUNG M H

Semiconductor device e.g. resistive RAM, for use in electronic device, has variable resistance layer arranged between first and second conductive lines, and electrode layer including graphene and arranged between resistance layer and selector layer.

SHIN G H, SHIN G

Optical sensor using Schottky junction, has upper electrode that is extended from above insulating layer, connected to upper end of semiconductor material, and configured for transmitting light incident from outside to lower electrode.

JONG R W, DU OH B, MOON I, SHINHOSUNG, KWANG P H, MUHAMMAD T

Display apparatus such as flat panel display apparatus useful in TV, has display module attached to bottom surface of cover window, core plate attached to bottom surface of display module, back cover accommodating display module and core plate, and printed circuit board.

JUNG J, ZHENG Z

Two-dimensional horizontal super lattice structure template, has multiple types of two-dimensional materials form super lattice, where multiple types of materials have different strains.

KANGKIBUM, PARK J

Manufacturing semiconductor useful in filed of power conversion devices, electric and electronic systems, comprises e.g. implanting dopant into semiconductor, capping material into two-dimensional honeycomb, and heat treating.

KIMSEONGJUN, KANG M J, SHIN H K, LEE N S, JAE P Y, SUNG M J

Hard mask film used in etching process for manufacturing semiconductor device, comprises first graphene layer, first amorphous carbon layer on first graphene layer, second graphene layer on first amorphous carbon layer, and second amorphous carbon layer on second graphene layer.

KIM Y, OH S, AN S, AHN S J, OH S R, KIM Y U, AN X

Method for manufacturing large-area semiconductor device, involves forming semiconductor layer by coating second dispersion in which two dimensional material are dispersed on insulating film.

HOUN K J, KIM J H